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手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N M<span style='color:red'>OS</span>，解决高压大电流充电痛点

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手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

　　产品概述　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。　　EM14DN30Z产品介绍　　产品特性　　· 漏源电压：30V;　　· 最大通流：14A;　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V　　· 背靠背双向阻断功能;　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)图1. EM14DN30Z封装信息　　EM14DN30Z三大核心亮点　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：　　亮点1　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。　　亮点2　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。　　亮点3　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。　　EM14DN30Z典型应用　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：　　浪涌防护升级　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形　　场景全面覆盖　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。图4. 单Type C 有线充典型应用图图5. Type C 有线充与无线充双输入应用　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!

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力芯微

发布时间：2025-10-27 15:28 阅读量：291 继续阅读>>

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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ROHM

发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：356 继续阅读>>

华润微电子第四代SiC M<span style='color:red'>OS</span>主驱模块批量上车

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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。

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华润微

发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：418 继续阅读>>

萨瑞微电子M<span style='color:red'>OS</span>FET产品在主板CPU供电应用与接口防护方案

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萨瑞微电子MOSFET产品在主板CPU供电应用与接口防护方案

　　电脑在现代生活中扮演着不可或缺的角色，已经成为我们生活的一部分‌。无论是在工作、学习还是娱乐方面，电脑都极大地提高了效率和便利性。　　电脑主板是计算机系统的核心组件，它包含多个关键部分。　　主板的主要组成部分　　这些组件共同工作，为计算机系统提供了一个集成的平台，使各种硬件可以互相通信和协同工作。主板的质量和功能直接影响整个系统的性能、稳定性和可扩展性。　　主板CPU供电应用与接口防护方案　　供电分为CPU供电以及主板供电，在主板上你可以找到2个供电接口，一个位于主板的左上角，专门为CPU提供供电，绝大多数主板是8pin(4+4)这样的。这里的pin是指引脚的意思，通俗的话就是图中插孔的洞洞，像我们的例子8pin(4+4)就是8个引脚，由两个4pin的组成。　　MOS 管在电脑主板的 CPU 供电电路中起着至关重要的作用　　核心功能与作用　　转换与控制电压：CPU 工作时需要稳定的低电压，如常见的0.8V、 1.0V 、1.2V、1.35V 等，而电脑电源直接提供的是 12V 等较高电压。MOS 管作为开关元件，能够将 12V 电压高效地转换为 CPU 所需的低电压，通过控制 MOS 管的导通与截止时间来精确调节输出电压的大小，确保 CPU 在不同负载下都能获得稳定、合适的电压。　　控制电流通断：在 CPU 供电电路中，MOS 管就像一个可控的阀门，根据 CPU 的工作状态和负载需求，精确地控制电流的通断。当 CPU 处于高负载运行时，如进行大型游戏或复杂的视频编辑任务，MOS 管会快速导通，让足够的电流通过，以满足 CPU 的高能耗需求;当 CPU 处于低负载或空闲状态时，MOS 管则会适时调整导通程度或截止，减少不必要的电流消耗，从而实现节能的目的。　　CPU/GPU电源MOS方案　　萨瑞微高质量的CPU/GPU电源MOS方案能够提供稳定、高效的电源,支持处理器的高性能运行和超频。　　01 CPU/GPU电源MOS方案线路图　　原理框图中电容的作用是稳定供电电压，滤除电流中的杂波，让电流更为纯净;电感线圈则是通过储能和释能，来起到稳定电流的作用;PWM芯片则是开关电路控制模块的主要组成部分，电路输出电压的大小与电流的大小基本上是由这个控制模块;MOS场效应管则分为上桥和下桥两部分，电压的调整就是通过上下桥MOS配合工作实现的。　　推荐使用萨瑞微MOSFET系列　　02 Type-C端口静电浪涌防护方案　　03 USB2.0静电防护方案　　04 USB3.0接口静电浪涌防护方案　　结论　　通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。　　主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。

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发布时间：2025-10-11 15:58 阅读量：317 继续阅读>>

鲁光LGE3M180065F 碳化硅M<span style='color:red'>OS</span>FET

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鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更小体积的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET 正逐渐成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的关键器件。作为国内功率半导体行业的领军企业之一，鲁光电子推出的LGE3M180065F 是一款性能优异的650V / 180mΩ 碳化硅MOSFET，为众多中高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。　　核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高频开关能力　　开关损耗比硅IGBT降低70%，支持100kHz以上高频应用。　　2. 低导通电阻(Rds(on))　　正温度系数特性，易于并联均流。　　3. 零反向恢复电流　　体二极管无Qrr，消除桥式电路死区损耗。　　4. 高温工作　　结温(Tj)可达175°C，散热设计更简化。　　3. 高可靠性：高工作结温、优异的耐高温性能和强大的短路耐受能力，确保器件在恶劣环境下稳定工作。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　1.服务器/数据中心电源(SMPS)：用于高功率(5kW以上)的服务器电源和通信电源。高开关频率允许使用LLC等高效拓扑，显著提升电源效率，降低数据中心的运营成本。　　2. 新能源光伏逆变器：用于5-10kW组串式光伏逆变器的DC-DC升压环节，利用其高频率和高效特性，可以最大化太阳能板的发电效率，同时减小逆变器体积。　　3. 工业电机驱动与变频器：用于5-10kW驱动风机、水泵、压缩机等工业电机。其高速开关能力可实现更精确的电机控制和更低的谐波失真。　　4. 不间断电源(UPS)：其5-10kW高功率特性，用于提升中大功率UPS的逆变效率，延长电池续航时间，同时减小设备体积。　　5. 储能系统的功率转换：用于5-10kW电池储能与电网之间高效的双向能量流动。　　四、总结　　鲁光电子的LGE3M180065F 碳化硅MOSFET以其650V/180mΩ的平衡性能，提供了一个强大而可靠的国产化功率开关解决方案。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的持续下降，像LGE3M180065F这样的器件必将成为推动工业、能源和交通等领域迈向绿色、高效未来的核心力量。

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发布时间：2025-10-11 15:39 阅读量：331 继续阅读>>

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鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高可靠性的电力电子领域，宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)正以前所未有的速度改变行业格局。作为国内功率半导体行业的重要参与者，鲁光电子推出的LGE3M40120Q 是一款极具竞争力的1200V碳化硅MOSFET，为众多高性能应用提供了优秀的解决方案。　　一、LGE3M40120Q主要参数　　二、核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高压高效：1200V的耐压使其能轻松应对光伏逆变器、工业电机驱动等高压场合。　　2. 低导通损耗：40mΩ的低内阻确保了在导通状态下极低的功率损耗。　　3. 高频操作能力：极小的开关损耗和几乎为零的反向恢复电荷，允许电路工作在几十甚至上百kHz的频率，从而减小无源元件(电感、电容)的体积。　　4. 高温稳定性：175℃的最高结温提高了系统可靠性或允许使用更小的散热器。　　三、特性曲线　　四、典型应用领域　　凭借其优异的性能，LGE3M40120Q广泛应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域：　　1.新能源发电与储能　　1.1光伏逆变器：特别是组串式和微型逆变器，SiC器件的高频特性可以最大程度提升效率和功率密度，同时降低系统成本。　　1.2储能变流器：用于电池储能系统的双向充放电，高效能意味着更少的能量在转换过程中被浪费。　　2. 电动充电设施　　2.1充电机(OBC)：是OBC的核心开关器件，实现高效、快速的充电。　　2.2直流-直流变换器(DC-DC Converter)：为高压电池与低压系统之间进行能量转换。　　2.3充电桩：作为直流快充桩内部电源模块的核心开关元件，是实现大功率、小体积充电桩的关键。　　3. 工业自动化与电机驱动　　3.1伺服驱动器与变频器：高频开关使得电流波形更平滑，电机运行更安静、扭矩响应更迅速。　　3.2不间断电源(UPS)：特别是在高端数据中心和工业级UPS中，SiC技术能显著提升整机效率，降低运行成本和冷却需求。　　4. 通信电源与服务器电源　　4.1用于实现高功率密度、高效率的AC-DC整流和DC-DC转换模块。　　5. 其他领域　　5.1感应加热、激光电源、医疗设备电源等任何需要高效电能转换的场景。　　五、总结：　　鲁光电子的LGE3M40120Q碳化硅MOSFET是一款性能出色的国产功率器件，是推动众多产业向高效化、小型化、绿色化迈进的关键引擎。其核心采用先进的碳化硅技术，相较于传统的硅基IGBT和MOSFET，它在高温、高频和高电压环境下表现出卓越的性能，能够显著降低系统能耗。

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发布时间：2025-09-26 17:13 阅读量：404 继续阅读>>

茂睿芯推出国内首款直驱SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET flyback AC/DC产品MK2606S

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茂睿芯推出国内首款直驱SiC MOSFET flyback AC/DC产品MK2606S

　　一、前言　　碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体，SiC MOSFET因其高耐压、高频开关、耐高温、低通态电阻、低开关损耗和内阻随温度漂移小等特点，已广泛应用于高频、高压功率系统，如新能源汽车与充电桩、光伏与储能、航天、航空、通信等领域。目前，碳化硅(SiC)已经得到大批量验证，其可靠性远优于传统硅(Si)器件。在传统工业级电源中，面对高母线电压下功率器件耐压不足的问题往往需要双管反激拓扑来解决，从而导致成本升高。市面上的方案通常为固定频率、无谷底导通，随着母线电压越高开关损耗越大，即使使用了SiC方案，通常也需要额外的SiC专用驱动芯片，还需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中集成。在消费领域中，随着碳化硅产能的扩张和良率提升，成本正在快速下降，SiC功率器件也已经逐步渗透到消费级产品中，尤其是PD快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景。随着第三代半导体发展，国内已有直驱GaN方案，但面向消费级市场直驱SiC的专用PWM控制器，国内仍处于空白，针对上述这些问题，茂睿芯推出了国内首款小6 pin直驱SiC MOSFET的flyback AC/DC产品-MK2606S。　　二、MK2606S引脚图　　三、MK2606S典型应用场景　　四、MK2606S关键产品特征　　支持16~30V宽VCC供电　　驱动电压16V，可以直驱SiC MOSFET　　支持135kHz开关频率　　专有的软起机方案，在开机时可以降低次级同步整流尖峰　　抖频功能，优化系统EMI　　恒功率、Line OVP功能可开放　　SOT23-6封装　　MK2606S一图了解　　五、MK2606S直驱SiC方案在工业辅源上的优势　　1、工业辅源现阶段应用痛点　　由于母线电压高，1200V耐压的Si MOSFET难以选择，且价格高，通常需采用双管反激配800V Si MOSFET，方案略复杂;　　现有工业辅源方案通常为固定开关频率，各负载段效率难以优化;　　目前搭配的为诸如Nxx1351, Uxx28x45, Uxx2844, 都没有QR模式，开通损耗大，尤其母线电压越高时，开通损耗越大;　　为SiC辅源优化的PWM少;　　即使采用SiC MOSFET，仍需要额外加SiC驱动器和供电电路，还需要考虑上电时序等诸多问题;　　2、MK2606S 应用优势　　MK2606S可以直驱SiC，省去驱动器和供电电路，其SiC耐压做得更高，选型更容易，同时采用QR模式，降低了开关损耗等等。　　六、MK2606S直驱SiC方案在适配器上的优势　　1、MK2606S直驱SiC方案大内阻可替小内阻Si方案　　众所周知，碳化硅(SiC)的内阻随温度变化小，由下图可见，对比常温25℃和高温100℃的SiC和Si内阻曲线，Si的Rdson上涨了1.6倍，而SiC Rdson无明显上涨。　　注：通过采用48W 12V/4A适配器评估，工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　上表可见，在输入90Vac满载12V/4A老化30min，虽采用了MK2606S+大内阻的SiC方案，但效率比小内阻的Si方案仍要优秀，高出0.1%。　　2、MK2606S 直驱SiC方案比Si方案温度更低　　工作频率均为135kHz，功率管封装均为TO252，且在同一块PCB上进行对比。　　实验可见，在效率相差很小的前提下，MK2606S +SiC方案比传统PWM +Si方案MOS表面温度低11.8℃，这也是得益于SiC比传统Si具有更优异的导热率。　　SiC的热导率尤为突出，比Si和GaN都要好，所以在效率相当的条件下，SiC的温度要低于Si，这一特性在实际的产品应用中，能大大降低散热材料带来的额外成本上升，譬如在适配器产品中甚至可以去掉散热器，进一步提高产线生产效率和降低人工组装成本。　　MK2606S+大内阻SiC方案可替小内阻Si方案，且效率更高、导热更好、温度更低!　　七、MK2606系列选型表　　八、结语　　茂睿芯作为国内一站式解决方案的集成电路厂商，始终走在行业前沿。早在氮化镓(GaN)技术兴起之初，茂睿芯便率先推出直驱式GaN控制芯片，并针对PD快充市场优化推出多功能集成芯片MK2697G，该产品至今仍是广受市场欢迎的主流方案之一。当前，随着碳化硅(SiC)技术广泛应用，茂睿芯再次把握产业趋势，推出面向工业与消费类电子领域的直驱SiC专用PWM控制器MK2606S。

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茂睿芯

发布时间：2025-09-22 15:24 阅读量：398 继续阅读>>

如何区分M<span style='color:red'>OS</span>管的三个极

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如何区分MOS管的三个极

　　MOS管在现代电子电路中应用广泛准确区分MOS管的三个极——源极(Source)、漏极(Drain)、栅极(Gate)，是电路设计和实际应用中的基础环节。下面就一块来了解MOS管的三个极该如何区分吧！　　一、MOS管的结构及极的定义　　MOS管主要有N沟(N-MOS)和P沟(P-MOS)两类，其内部结构类似，但极的定义一致。三极分别为：　　源极(Source, S)　　是载流子的输入端，三极管中相当于发射极，电子或空穴由此流入或流出。　　漏极(Drain, D)　　是载流子的输出端，对应普通三极管的集电极，电流由源极流向漏极(N沟为电子，P沟为空穴)。　　栅极(Gate, G)　　控制通断的输入端，相当于三极管的基极。栅极本身无直流电流流过，仅通过施加电压来形成电场，从而调节源漏间的导通。　　二、外观与引脚辨识方法　　1. 常见封装　　TO-92小功率管(直插式)　　平面朝前，自左至右：栅极(G)- 漏极(D)- 源极(S)　　TO-220等功率较大封装(直插式/贴片式)　　正面(正字面)朝前，自左至右：栅极(G)- 漏极(D)- 源极(S)，背后贴片通常为漏极(D)　　SOT-23等三脚贴片封装　　正对引脚，对应的Datasheet上通常有详细标识，常见引脚顺序为：1-G、2-S、3-D　　不同厂商和封装存在差异，实际以原厂数据手册(Datasheet)为准。　　2. 电路符号识别　　栅极(G，Gate)：　　与其他两极正交，并不与“主体”相接触，通常画在符号的一侧边上。　　漏极(D，Drain)：　　位于来源方向的箭头端，经历“通道”流向负载的那一段。　　源极(S，Source)：　　有向通道内的三角箭头，N沟MOS箭头朝内，P沟MOS箭头朝外。　　三、实际区分与检测技巧　　1. 通过万用表测量(栅极-漏极、栅极-源极间应为绝缘)　　栅极-源极、栅极-漏极：均为绝缘状态(开路)。　　源极-漏极测量：根据MOS类型，通过测量正反阻值，且N-MOS、P-MOS特征不同。如N沟MOS“导通方向”为源→漏。　　2. 阅读Datasheet　　查阅具体器件的数据手册，能准确找到引脚定义图，是最保险的方法。　　四、典型应用场合的极的连接　　开关电路：　　栅极接升压(N-MOS)或降压(P-MOS)控制信号，源极接地或电源，漏极连接负载。　　放大电路：　　栅极接输入信号，通过漏极输出，源极接稳压/偏置。　　区分MOS管的三个极——源极、漏极、栅极，是电路设计和装配的基础环节。具体可通过外观引脚顺序、符号结构、万用表测量和数据手册查阅等多种方式进行判别。

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MOS管

发布时间：2025-09-17 16:03 阅读量：436 继续阅读>>

搭载罗姆SiC M<span style='color:red'>OS</span>FET的舍弗勒逆变砖开始量产！

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搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产！

　　2025年9月9日，全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。　　作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压，可支持更高的电池电压，并实现了650Arms的峰值电流输出。凭借罗姆的SiC技术，该产品不仅实现了高效率和高输出功率，还实现了产品小型化，将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。　　罗姆与舍弗勒(原Vitesco Technologies)自2020年起建立战略合作伙伴关系。2023年，双方签署碳化硅功率器件相关的长期供应协议，增强对提升电动汽车性能至关重要的SiC芯片的供应体系。此次新产品的量产启动，表明这种良好合作关系正在稳步取得积极成效。逆变砖SiC MOS晶圆　　舍弗勒集团电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)表示：“在电动出行解决方案领域，我们通过采用可扩展与模块化的策略，成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石，成功在短短一年内针对中国市场日益普及的X in 1架构开发出优质产品并投入量产。”　　罗姆董事兼常务执行官伊野和英表示：“舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第4代SiC MOSFET并实现量产，我们深感荣幸。罗姆的SiC技术可显著提升电动汽车的效率和性能，通过与舍弗勒的合作，将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。”舍弗勒集团电驱动事业部CEO 陶斯乐(Thomas Stierle)(左)与罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　关于舍弗勒集团　　舍弗勒集团75余年来始终秉承开拓创新精神，致力于推动驱动技术的创新与发展。依托在电驱动、低碳驱动、底盘应用和可再生能源领域提供创新技术、产品和服务，舍弗勒集团致力于成为值得信赖的合作伙伴，让驱动技术在整个产品生命周期中更高效、更智能、更可持续。舍弗勒集团的产品和服务覆盖整个驱动技术生态系统，涉及八大产品领域，包括从轴承解决方案、各类直线导轨系统到维修和监测服务等丰富的产品和服务组合。　　舍弗勒集团目前拥有约120,000名员工，在全球55个国家和地区设有250多个分支机构，是全球最大家族企业之一，也是德国最具创新力公司之一。

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罗姆

发布时间：2025-09-10 13:16 阅读量：418 继续阅读>>

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行业新闻

力芯微推出12.4V大电流BOOST

　　产品概述　　ET84501是一款全集成同步升压转换器，带有19mΩ功率开关和23mΩ整流开关。此器件可以为便携式设备提供高效率小型电源解决方案。ET84501具有2.7V到12V的宽输入电压范围，可以支持由单节或多节电池供电的应用，包括锂离子/锂聚合物电池。ET84501具有输出7A持续开关电流的能力，且能够提供高达12.4V的输出电压。　　ET84501 采用自适应恒定关断时间峰值电流控制(ACOT)拓扑结构调节输出电压。在轻载条件下，ET84501以可提升效率的脉频调制(PFM)模式工作，在中等到重负载条件下，ET84501以脉宽调制(PWM)模式工作。其中PWM模式下的开关频率可以通过外部电阻在200kHz至2.2MHz之间调节。除了开关频率可以外部调节之外，ET84501的峰值限流值一样可以通过外部电阻值调节，最大峰值电流可达11.5A。ET84501还内置3ms软启动功能，并提供了13V输出过压保护、逐周期过流保护和热关断保护等保护机制，能够更好地保护整个系统。　　ET84501采用紧凑的UQFN11(2.0mm x 2.5mm)封装。　　产品特性　　输入电压范围:2.7V to 12V　　输出电压范围:4.5V to 12.4V　　效率高达90%(VIN=3.3V,VOUT=9V,IOUT=2A时)　　高达11.5A的可编程峰值限流　　可编程开关频率:200kHZ to 2.2MHz　　3ms的内置软启动时间　　轻载下采用PFM运行模式　　13V的内部输出过压保护　　FB电压为1.212V　　逐周期限流保护、过温保护　　封装：UQFN11(2.0mm x 2.5mm)　　管脚定义　　典型应用

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力芯微

发布时间：2025-08-29 14:02 阅读量：531 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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