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在M<span style='color:red'>OS</span>晶体管中，什么是GIDL效应？

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在MOS晶体管中，什么是GIDL效应？

　　栅感应漏极漏电(GIDL，Gate-Induced Drain Leakage)，MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸 MOS 器件可靠性、功耗等方面的主要原因之一，它同时也对存储器件的擦写操作有重要影响。当工艺进入超深亚微米时代后，由于器件尺寸日益缩小，GIDL 电流引发的众多可靠性问题变得愈加严重。在半导体器件不断向更小尺寸、更高性能发展的进程中，MOS 管作为集成电路的核心元件，其特性研究至关重要。　　一、GIDL 效应的物理起源　　GIDL 效应的本质源于量子力学中的隧穿现象。当 MOS 管的栅极电压与漏极电压形成较大差值时，栅极下方会产生强大的电场。在该电场作用下，漏极附近半导体的能带发生显著弯曲，使得原本被禁带隔离的价带和导带在空间上靠近。此时，价带中的电子无需通过热激发，便能凭借量子隧穿效应，直接穿越禁带进入导带，形成额外的漏极电流，即 GIDL 电流。这种基于量子效应的电流产生机制，与传统的热激发导电方式截然不同，是纳米级 MOS 管中不可忽视的现象。　　MOSFET 中引发静态功耗的泄漏电流主要有:源到漏的亚阈泄漏电流，栅泄漏电流，发生在栅漏交叠区的栅致漏极泄漏 GIDL 电流，如图所示。在这些泄漏电流中，在电路中器件处于关态或者处于等待状态时，GIDL 电流在泄漏电流中占主导地位。GIDL 电流为栅致漏极泄漏电流，发生在栅漏交叠区 MOSFET 这一重要区域。GIDL 电流测试机构一般为栅控二极管 GD(gated-diode)结构，测试GIDL 电流时，器件处于关态之中。当栅漏交叠区处栅漏电压 VG很大时，交叠区界面附近硅中电子在价带和导带之间发生带带隧穿形成电流，我们把这种电流称之为 GIDL 隧穿电流。随着栅氧化层越来越薄，GIDL 隧穿电流急剧增加。　　二、影响 GIDL 效应的关键因素　　GIDL 效应的强弱并非固定，而是受到多个器件参数和工作条件的影响。从器件结构来看，栅氧化层厚度是关键因素之一。更薄的栅氧化层会增强栅极电场强度，加剧能带弯曲程度，进而显著增大 GIDL 电流;衬底掺杂浓度也起着重要作用，较高的掺杂浓度会改变半导体的能带结构，使得能带更容易发生弯曲，从而增强 GIDL 效应。在工作条件方面，漏极电压的升高会直接增大栅漏之间的电场，为电子隧穿提供更有利的条件，导致 GIDL 电流明显上升。　　三、GIDL 效应带来的多重挑战　　GIDL 效应给集成电路设计和应用带来诸多难题。在功耗层面，GIDL 电流作为额外的静态功耗来源，在低电压、低功耗的芯片设计中影响尤为突出，会大幅降低设备的电池续航能力，限制产品的使用时长;在性能方面，GIDL 效应会导致 MOS 管的阈值电压发生漂移，影响器件的开关特性，进而使电路的逻辑判断出现偏差，严重时甚至导致整个芯片功能失效;从可靠性角度，长期存在的 GIDL 电流会加速器件老化，缩短芯片的使用寿命，增加产品的维护成本和故障风险。　　四、抑制 GIDL 效应的有效策略　　为应对 GIDL 效应带来的挑战，业界从器件结构优化和电路设计改进两方面着手。在器件层面，采用高介电常数(高 k)栅介质材料替换传统二氧化硅，既能保持栅极电容，又能适当增加栅介质厚度，有效削弱栅极电场强度;调整衬底掺杂分布，降低漏极附近的掺杂浓度，可减少能带弯曲程度，抑制 GIDL 电流产生。在电路设计方面，通过合理设置偏置电压，避免出现过大的栅漏电压差，能从源头降低 GIDL 效应的影响;采用先进的电路架构和设计方法，也有助于提升电路对 GIDL 效应的抗干扰能力。

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GIDL效应

发布时间：2025-06-09 13:42 阅读量：161 继续阅读>>

上海雷卯电子：无刷电机的驱动M<span style='color:red'>OS</span>FET

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上海雷卯电子：无刷电机的驱动MOSFET

　　当无叶风扇送出柔风时，内部13万转无刷电机正被MOSFET精准驱动;扫地机钻进7cm缝隙，7组电机协同完成毫米级贴边清扫;电动牙刷以31,000次/分钟振动清洁齿缝，筋膜枪在50μs内响应力度调节，而高空作业无人机正用高压水刷洗摩天幕墙——这些看似平常的设备，背后都藏着无刷电机+电子驱动的精密控制系统。　　二、无刷电机驱动 N+P型合封MOS应用原理框图　　上海雷卯EMC小哥列出无刷电机框图如上。无刷电机系统主要由MCU, DRIVER和功率开关管(MOS)组成，其中功率开关管是三颗N+P型合封MOS管(Q1，Q2和Q3)，控制直流电机的方向和转速。采用N+P型合封MOS管相比于适用六颗NMOS管的系统，驱动简单，电路尺寸更小，性能稳定，成本低。　　N+P型MOS应用 - PCBA　　合封N+P型MOS 极大节省了板面空间。　　三、N+P型MOS介绍　　N+P型(Complementary)MOSFET产品，是以高、低边配置将N沟道与P沟道 MOSFET集成至单个封装中，极大程度上优化了产品封装结构。该类Complementary MOSFET产品不仅能够提高设计人员的设计效率，同时也能优化系统结构，提供成本更低且更加可靠的解决方案。　　该类产品广泛应用于DC-DC转换、电机控制以及电池管理系统等　　上海雷卯N+P型合封MOS主要封装有以下几种：　　N+P型MOSFET产品封装外形主要有：SOT23-6L、PDFN3.3*3.3、PDFN5*6、SOP-8、TO-252-4L等紧凑型封装形式。　　列出部分上海雷卯N+P合封MOS 型号用于无刷电机　　Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。

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雷卯电子

发布时间：2025-06-09 11:09 阅读量：138 继续阅读>>

新洁能第三代40V SGT-M<span style='color:red'>OS</span>：定义中低压功率器件新标杆

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新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%，品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向，提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。　　产品型号　　产品特点　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　◆ 更强鲁棒性　　◆ 更齐全的封装形式　　◆ 更齐全的电阻、电流型号规格　　应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。

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新洁能

发布时间：2025-06-09 09:58 阅读量：154 继续阅读>>

硅IGBT与碳化硅M<span style='color:red'>OS</span>FET的优缺点

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硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

　　随着电力电子技术的不断发展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作为主要功率开关器件，在电力变换、驱动等领域都扮演着重要角色。两者在性能、功耗、效率等方面有着不同特点，本文将探讨硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并对它们的优缺点进行详细对比分析。　　1. 硅IGBT的优缺点　　优点：　　低导通压降：硅IGBT具有较低的导通压降，能够减少功耗和散热需求。　　稳定性强：在高温、高电压条件下仍能保持稳定工作。　　成熟技术：已经经过长期发展和改进，技术相对成熟，生产工艺稳定。　　缺点：　　开关速度慢：IGBT的开关速度较慢，导致在高频应用中性能受限。　　功耗较高：由于导通压降存在，会产生一定的功耗损耗。　　温升较高：在高负载情况下容易产生较高的温度升高，需要额外散热处理。　　2. 碳化硅MOSFET的优缺点　　优点：　　高开关速度：碳化硅MOSFET具有极快的开关速度，适合高频应用。　　低导通损耗：由于导通特性优秀，功耗损耗较低。　　低温升：在高负载情况下温升较低，对散热要求不高。　　缺点：　　价格较高：碳化硅器件相对硅IGBT价格较高，成本较大。　　新技术：相对硅IGBT，碳化硅器件的生产工艺和技术较新，仍在不断完善中。　　抗干扰能力差：对于电磁干扰的抵抗能力相对较弱。　　3. 对比分析　　性能比较：　　开关速度：碳化硅MOSFET具有更快的开关速度，适合高频应用;而硅IGBT则速度较慢。　　功耗：在功耗方面，碳化硅MOSFET表现较优，而硅IGBT存在一定的功耗损失。　　稳定性：硅IGBT在高温高压条件下的稳定性较好，而碳化硅MOSFET则更适合高频、高效率应用。　　成本和可靠性：　　成本：硅IGBT的成本相对较低，技术相对成熟，生产规模大;而碳化硅MOSFET的价格较高，因为生产工艺和材料技术要求较高。　　可靠性：硅IGBT在长期应用中表现出稳定的可靠性，且故障率较低;碳化硅MOSFET作为新技术，其长期稳定性尚待进一步验证。　　应用领域：　　硅IGBT：电力电子、工业变频器、风力发电等领域，对稳定性和成本要求较高。　　碳化硅MOSFET：高频变换器、电动汽车驱动系统、太阳能逆变器等需要高效率、高频率开关的领域。

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IGBT

发布时间：2025-06-06 11:31 阅读量：190 继续阅读>>

ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率M<span style='color:red'>OS</span>FET

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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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ROHM

发布时间：2025-06-04 09:42 阅读量：220 继续阅读>>

华润微第6代高性能SGT M<span style='color:red'>OS</span>产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。

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华润微

发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：405 继续阅读>>

捷捷微电M<span style='color:red'>OS</span>FET&IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

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捷捷微电MOSFET&IGBT双杀，微型逆变器效率狂飙200%

　　微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求，提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构，分析其器件选型特点及适用场景。　　宽功率范围(250W-2000W)　　架构1采用MOSFET实现高效调制，覆盖功率范围广，支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下：　　特点：　　高压MOSFET(650V)：如JMH65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。　　低压低阻MOSFET(150V)：如JMSH15系列，导通电阻低至9.9mΩ，优化反激拓扑效率。　　针对高功率段(>800W)，架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：　　特点：　　高耐压(650V)与低饱和压降(1.7V)，平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。　　中低功率范围(250W-800W)　　架构2专注于中低功率段，采用全桥拓扑设计，全系使用MOSFET以实现更高效率：　　特点：　　低压MOSFET(80V)：如JMSL/JMSH系列，导通电阻低至2.4mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。　　紧凑封装(TO-252/PDFN)：优化空间布局，适配小型化设计。　　对比与选型建议　　功率覆盖：　　架构1(250W-2000W)：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。　　架构2(250W-800W)：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。　　拓扑适配：　　架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。　　效率与成本：　　低压MOSFET(如80V/150V)在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。　　捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成，助您在性能与成本之间找到最优解，让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。

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捷捷微电

发布时间：2025-05-30 10:13 阅读量：221 继续阅读>>

龙腾半导体M<span style='color:red'>OS</span>家族新增950V 超结M<span style='color:red'>OS</span>系列

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龙腾半导体MOS家族新增950V 超结MOS系列

　　随着高效能、紧凑型电源系统的需求日益增长，传统平面MOSFET已逐渐难以满足高压低损耗的要求。龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。　　龙腾 950V 超结MOS　　采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：　　极低导通损耗　　Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。　　超快动态性能　　FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。　　卓越可靠性　　Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性;同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。注：数据基于龙腾实验室实测，实际性能因系统设计可能略有差异。　　龙腾 SJ MOS 800V-950V推荐型号

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龙腾半导体

发布时间：2025-05-29 11:06 阅读量：693 继续阅读>>

原边反馈、内置100V/1.5A M<span style='color:red'>OS</span>！思瑞浦发布反激式转换器TPQ5180Q

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原边反馈、内置100V/1.5A MOS！思瑞浦发布反激式转换器TPQ5180Q

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦3PEAK(股票代码：688536)推出75V输入、原边反馈模式、内部集成100V/1.5A功率开关的反激式转换器。该产品大大简化了反激电源设计，无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行VOUT稳压输出，可广泛应用于空压控制器、OBC等领域给IGBT或SiC驱动供电，以及BMS、PLC等领域低压侧隔离供电。　　01TPQ5180Q产品优势　　无需光耦合器或变压器辅助绕组　　隔离输出电压从初级侧反激电压采样，无需光耦合器、电压基准或变压器的第三绕组来调节输出电压，仅需在SW与FB之间跨接一个反馈电阻。高度集成带来了简单、可靠且高密度的设计，仅有一个元件跨越隔离屏障。典型应用电路　　BCM模式下(重载)准谐振开关　　(BCM)开关实现了紧凑的磁性解决方案，并具有优于±1.5%的负载和线路调节性能。在重负载时以边界导通模式(BCM)运行。当次级绕组中的电流降至零时，功率 MOSFET 导通。大限度减小开关损耗，提高工作效率。当初级峰值电流达到由内部误差放大器输出所决定的水平时，MOSFET 关断。随着负载减小，频率升高以维持 BCM 运行。　　高输出精度　　TPQ5180Q采用独特的热补偿电路，根据反激二极管正向电压降的热系数调整反馈设定点。即使在次级电流有效为零时测量输出电压，仍然存在与反激二极管相关的非零正向电压降。可选电阻RTC通过抵消输出回路二极管压降的热系数来提高输出电压的精度。不同负载电流情况下输出电压曲线，输出精度可控制在±1.5%以内。　　高工作效率　　不同负载电流情况下效率曲线，正常带载情况下效率可达80%以上。　　高CMTI能力　　碳化硅(SiC)在牵引逆变器等大功率逆变设计中的使用显著增加。SiC逆变器可以产生大于100V/ns的高瞬态电压(dv/dt)信号，如下左图所示提出的CMTI解决方法。它引入了一个与RFB串联的电阻器(R1)，以及一个放置在两个反馈电阻器和VIN引脚连接处的陶瓷电容器(C1)。电阻电容形成低通滤波器，衰减CMT电流对RFB 100µA工作电流的影响。　　低静态电流Active模式下静态电流VS温度　　02TPQ5180Q产品特性　　•100V1.5A内部开关，车规和工规版本均可提供　　•±1.5%的总输出稳压精度，可选VOUT温度补偿　　•6ms内部软启动或可编程软启动　　•打嗝模式过流故障保护　　•具有–40°C至+150°C的结温范围　　•无需光耦合器或变压器辅助绕组即可进行VOUT稳压　　•内部环路补偿　　•重负载情况下，可在边界导电模式 (BCM) 下实现准谐振开关　　03TPQ5180Q典型应用　　空调压缩机控制器多路隔离电源应用，给驱动上桥臂、下桥臂、以及控制板供电。TPQ5180支持多路辅助绕组输出，提供较高稳压输出精度。空压控制器反激电源方案　　PLC应用反激电源±15V输出方案。TPQ5180原边反馈方式，大大简化电路设计，节省板子面积，很好地满足PLC领域小体积要求。PLC反击电源±15V输出方案

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思瑞浦

发布时间：2025-05-26 14:28 阅读量：721 继续阅读>>

ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型M<span style='color:red'>OS</span>FET，助力快速充电应用

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ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，达到业界先进水平。　　新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。　　新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81%，导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50%。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。　　另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。　　新产品已于2025年4月开始暂以月产50万个的规模投入量产(样品价格500日元/个，不含税)。新产品在电商平台将逐步销售。　　ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品。未来，ROHM将继续致力于提供更加节省空间并进一步提升效率的产品，助力应用产品的小型化和节能化发展，为实现可持续发展社会贡献力量。　　<开发背景>　　近年来，为缩短充电时间，智能手机等配备大容量电池的小型设备中，配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外，为了在快速充电时支持大电流，智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求，如最大电流为20A、击穿电压*5为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而，普通MOSFET产品若要满足这些要求，就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET，而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题，ROHM开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”，非常适用于大功率快速充电应用。　　<产品主要特性>　　<应用示例> ・智能手机・VR(Virtual Reality)眼镜・小型打印机・平板电脑・可穿戴设备・液晶显示器・笔记本电脑・掌上游戏机・无人机　　此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年4月起　　新产品在电商平台将逐步发售。　　产品型号：AW2K21　　<术语解说>　　*1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写)　　一种采用金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，是FET中最常用的类型。　　通常由“栅极”、“漏极”和“源极”三个引脚组成。其工作原理是通过向控制用的栅极施加电压，增加漏极流向源极的电流。　　Nch MOSFET是一种通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。　　共源结构的MOSFET内置两个MOSFET器件，它们共享源极引脚。　　*2)导通电阻　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。数值越小，工作时的损耗(功率损耗)越小。　　*3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)　　在晶圆状态下完成引脚成型和布线，随后切割成芯片的超小型封装。与将晶圆切割成芯片后通过树脂模塑形成引脚等的普通封装形式不同，这种封装可以做到与内部的半导体芯片相同大小，因此可以缩减封装的尺寸。　　*4)GaN HEMT　　GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料，与普通的半导体材料Si(硅)相比，其物性更优异，开关速度更快，支持高频率工作。　　HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。　　*5)击穿电压　　MOSFET漏极和源极之间可施加的最大电压。如果超过该电压，会发生绝缘击穿，导致器件无法正常工作。

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ROHM

发布时间：2025-05-16 10:52 阅读量：336 继续阅读>>

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